半導体装置およびその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：深見久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997076159
Publication number (International publication number)：1998270544
Application date： Mar. 27, 1997
Publication date： Oct. 09, 1998
Summary：

【要約】【課題】トレンチ分離構造を有する半導体装置において、寄生MOSトランジスタの発生を抑制することにより分離特性を向上させる。【解決手段】シリコン基板1の主表面にはトレンチ2が形成され、このトレンチ2内からシリコン基板1の主表面よりも上方に突出するように分離絶縁膜20が形成される。この分離絶縁膜20においてシリコン基板1の主表面よりも上方に位置する部分は、トレンチの側壁上端コーナ部2aを覆うように張出す張出部7を含む。

Claim (excerpt)：

素子間を分離するためのトレンチが主表面に形成された半導体基板と、前記トレンチ内に充填され、かつ前記主表面よりも上方に突出するように形成された分離絶縁膜とを備え、前記分離絶縁膜において前記主表面よりも上方に位置する部分は、前記トレンチの側壁上端コーナ部を覆うように前記主表面に沿って張出す張出部を含む、半導体装置。

FI (2)：

H01L 21/76 L , H01L 21/76 S

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体装置とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-061855 Applicant：株式会社東芝
半導体装置とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-316887 Applicant：三菱電機株式会社
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-288697 Applicant：株式会社東芝

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