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J-GLOBAL ID：200903078196158817

誘電体膜の形成方法

Inventor：
恵木 守

About 恵木 守


Applicant, Patent owner：
オムロン株式会社

About オムロン株式会社


Agent (6)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005272229
Publication number (International publication number)：2007084852
Application date： Sep. 20, 2005
Publication date： Apr. 05, 2007
Summary：
【課題】 電気泳動法を利用した方法により基材の表面上に誘電体膜を形成した場合でも基材端部における誘電体膜の厚膜化を抑制することができる誘電体膜の形成方法を提供する。【解決手段】 誘電体粒子を含む溶媒中に浸漬した基材と電極との間に電圧を印加することによって基材の表面上に誘電体粒子を堆積して誘電体膜を形成する方法であって、誘電体膜の形成期間には、基材に誘電体粒子を堆積させる極性となる第1電圧が基材と電極との間に発生する第1期間と、基材に誘電体粒子を堆積させる極性とは逆極性となる第2電圧が基材と電極との間に発生する第2期間と、が含まれる誘電体膜の形成方法である。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
誘電体粒子を含む溶媒中に浸漬した基材と電極との間に電圧を印加することによって前記基材の表面上に前記誘電体粒子を堆積して誘電体膜を形成する方法であって、 前記誘電体膜の形成期間には、前記基材に前記誘電体粒子を堆積させる極性となる第1電圧が前記基材と前記電極との間に発生する第1期間と、前記基材に前記誘電体粒子を堆積させる極性とは逆極性となる第2電圧が前記基材と前記電極との間に発生する第2期間と、が含まれることを特徴とする、誘電体膜の形成方法。
IPC (2)：
C25D 13/00 ,  C25D 21/12
FI (2)：
C25D13/00 Z ,  C25D21/12 A
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • ポリアミド酸溶液
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-348161   Applicant：アイエステーコーポレーション
Cited by examiner (10)
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