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J-GLOBAL ID：200903024623781447

スルーホールの充填方法

Inventor：
中村 健次

About 中村 健次

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伴 和恵

About 伴 和恵

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中澤 昌夫

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深瀬 克哉

About 深瀬 克哉

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若林 信一

About 若林 信一


Applicant, Patent owner：
新光電気工業株式会社

About 新光電気工業株式会社


Agent (2)： 綿貫 隆夫 ,  堀米 和春
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003328699
Publication number (International publication number)：2005093934
Application date： Sep. 19, 2003
Publication date： Apr. 07, 2005
Summary：
【課題】 本発明の課題は、基板を貫通するスルーホールのストレート状の内壁面が粗面であっても、確実に電解めっきによってスルーホール内に金属を充填し得るスルーホールの充填方法を提供する。【解決手段】 樹脂基板10を貫通する円柱状のスルーホール12の内壁面を含む基板全面に薄膜金属層14を形成した後、薄膜金属層14を給電層とする電解めっきを施して、スルーホール10内に金属を充填する際に、電解めっき液として、樹脂基板10に電解めっきを施したとき、スルーホール12内の金属析出速度が、樹脂基板10の基板面の金属析出速度よりも速い電解めっき液を用いた電解めっきによって、スルーホール12内の中途部近傍に最狭部12aを形成するように、スルーホール12の開口部近傍の金属層よりも厚い金属層18をスルーホール12の中途部近傍に形成した後、電解めっきによって、最狭部12aを閉塞して形成した樹脂基板10の両面に開口する凹部20,20に金属を充填する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
絶縁材料から成る基板を貫通するスルーホールのストレート状の内壁面を含む基板全面に薄膜金属層を形成した後、 前記基板を電解めっき液内に浸漬し、前記薄膜金属層を給電層とする電解めっきを施して、前記スルーホール内に金属を充填する際に、 該電解めっきを施す電解めっき液として、前記基板に電解めっきを施したとき、前記スルーホール内の金属析出速度が、前記基板面の金属析出速度よりも速い電解めっき液を用い、 前記電解めっき液を用いた電解めっきによって、前記スルーホール内の中途部近傍に最狭部を形成するように、前記スルーホールの開口部近傍の金属層よりも厚い金属層をスルーホールの中途部近傍に形成した後、 前記中途部近傍の金属層を更に厚くする電解めっきによって、前記最狭部を閉塞して、前記基板の両面の各々に開口する凹部を形成し、 次いで、前記凹部の各々に電解めっきによって金属を充填することを特徴とするスルーホールの充填方法。
IPC (6)：
H05K3/40 ,  C25D3/00 ,  C25D3/38 ,  C25D5/16 ,  C25D5/18 ,  C25D7/00
FI (6)：
H05K3/40 K ,  C25D3/00 ,  C25D3/38 101 ,  C25D5/16 ,  C25D5/18 ,  C25D7/00 J
F-Term (24)：
4K023AA19 ,  4K023BA06 ,  4K023CB32 ,  4K023DA07 ,  4K024AA09 ,  4K024AB01 ,  4K024BB11 ,  4K024BC02 ,  4K024CA02 ,  4K024CA06 ,  4K024CA08 ,  4K024CB21 ,  4K024DA09 ,  4K024GA16 ,  5E317AA24 ,  5E317BB12 ,  5E317CC32 ,  5E317CC33 ,  5E317CC36 ,  5E317CC38 ,  5E317CD32 ,  5E317GG01 ,  5E317GG09 ,  5E317GG11
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)
  • 積層配線板およびその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-234901   Applicant：イビデン株式会社
  • 国際公開第03/033775号パンフレット(請求の範囲)
Cited by examiner (6)
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