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J-GLOBAL ID：200903078307179541

薄膜トランジスタ液晶表示装置の製造方法

Inventor：
李 錫 烈

About 李 錫 烈

, 
田 正 牧

About 田 正 牧

, 
李 承 ミン

About 李 承 ミン


Applicant, Patent owner：
株式会社ハイニックスセミコンダクター

About 株式会社ハイニックスセミコンダクター


Agent (1)： 瀬谷 徹 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000393453
Publication number (International publication number)：2001228493
Application date： Dec. 25, 2000
Publication date： Aug. 24, 2001
Summary：
【要約】【課題】 フォトリソグラフィ工程を低減させることができる薄膜トランジスタ液晶表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】 カウンタ電極42aとゲートバスライン33を単一のフォトリソグラフィ工程を通じて形成し、薄膜トランジスタのチャンネル55a、ソース電極、ドレイン電極、ソース電極のオーミックコンタクト及びドレイン電極のオーミックコンタクト56aを単一のフォトリソグラフィ工程を通じて形成することにより、フォトリソグラフィ工程の回数が低減されることにより、製造時間及び製造コスとが低減され、収率が向上される。
Claim (excerpt)：
液晶セルを介して相互対向する背面基板及び前面基板と前記背面基板上に形成され、背面基板の表面に平行する水平成分を有する電界を前記液晶セルの内部に生成する画素電極及びカウンタ電極とゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を備え、前記画素電極及びカウンタ電極間に所定の画像信号を印加する薄膜トランジスタを有する薄膜トランジスタ液晶表示装置の製造方法において、前記背面基板上にカウンタ電極用透明導電層とゲートバスライン用金属層とを逐次形成するステップと、蒸着された前記ゲートバスライン用金属層の上部に第1の感光層を形成するステップと、前記カウンタ電極が形成されたカウンタ電極領域の上部に位置する第1の感光層領域が所定の走査光(scanning light)に部分的に露出するように前記第1の感光層を露光させるステップと、前記走査光に部分的に露出された第1の感光層領域の下部に位置するゲートバスライン用金属層領域が露出しないように前記第1の感光層をパターニングするステップと、前記パターニングされた第1の感光層を遮断層とし、前記カウンタ電極領域及びゲートバスライン領域が区切られるように前記ゲートバスライン用金属層をパターニングするステップと、前記パターニングされたゲートバスライン用金属層を遮断層とし、前記カウンタ電極が形成されるように前記カウンタ電極用透明導電層をパターニングするステップと、前記パターニングされた第1の感光層を遮断層とし、前記ゲートバスラインが形成されるように前記ゲートバスライン用金属層をパターニングするステップと、前記ゲートバスラインが形成された背面基板上に薄膜トランジスタを形成するステップと、前記薄膜トランジスタが形成された背面基板上に保護層を形成するステップと、前記保護層をパターニングして前記薄膜トランジスタのドレイン電極の一部を露出させるステップと、前記ドレイン電極が露出された背面基板上に画素電極用透明導電層を形成するステップと、前記画素電極用透明導電層をパターニングして前記画素電極を形成するステップとを含むことを特徴とする薄膜トランジスタ液晶表示装置の製造方法。
IPC (4)：
G02F 1/1368 ,  G02F 1/1343 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (3)：
G02F 1/1343 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 612 D
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
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Cited by examiner (5)
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