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J-GLOBAL ID：200903048360942587

GaN単結晶の作製方法

Inventor： 吉田 清輝
Applicant, Patent owner： 古河電気工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999087962
Publication number (International publication number)：2000281499
Application date： Mar. 30, 1999
Publication date： Oct. 10, 2000
Summary：

【要約】【課題】 光及び電子デバイス作製のためのGaN基板に適した大口径のGaN単結晶を作製する方法を提供する。【解決手段】 GaNよりも低い融点を有する3-5族化合物半導体基板上に、GaNバッファ層、GaN単結晶層を順次成長し、次いで、真空中またはアンモニアガス雰囲気中で、前記基板が熱劣化する温度で前記基板を加熱し、その後、化学的エッチングにより前記基板を除去する。

Claim (excerpt)：

GaNよりも低い融点を有する3-5族化合物半導体基板上に、GaNバッファ層、GaN単結晶層を順次成長し、次いで、真空中またはアンモニアガス雰囲気中で、前記基板が熱劣化する温度で前記基板を加熱し、その後、化学的エッチングにより前記基板を除去することを特徴とするGaN単結晶の作製方法。

IPC (3)：

C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (3)：

C30B 29/38 D ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C

F-Term (25)：

4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DA05 ,  4G077ED06 ,  4G077EE04 ,  4G077FE02 ,  4G077FE06 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA02 ,  5F041AA40 ,  5F041CA22 ,  5F041CA40 ,  5F041CA66 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F045AA05 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD12 ,  5F045AE09 ,  5F045AF04 ,  5F045CA09 ,  5F045HA12 ,  5F045HA16

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

• 半導体用単結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-092926   Applicant：三菱電線工業株式会社
• 窒化ガリウム単結晶厚膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-230508   Applicant：株式会社ジャパンエナジー
• GaN基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-018013   Applicant：古河電気工業株式会社
• 窒化ガリウムの結晶成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-065644   Applicant：日本電気株式会社
• 発光素子および発光素子用ウエハならびにその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-122378   Applicant：住友電気工業株式会社
• GaN系半導体装置および、GaN系半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-043717   Applicant：古河電気工業株式会社
• GaN単結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-088350   Applicant：株式会社ジャパンエナジー