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J-GLOBAL ID：200903024798085028

エピタキシャルウェハおよびその製造方法

Inventor： 元木 健作 ,  松島 政人 ,  秋田 勝史 ,  嶋津 充 ,  竹本 菊郎 ,  関 壽 ,  纐纈 明伯
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 越場 隆
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998078333
Publication number (International publication number)：1998316498
Application date： Mar. 11, 1998
Publication date： Dec. 02, 1998
Summary：

【要約】【課題】 立方晶半導体(111) 基板上に形成されたGaN層を有するエピタキシャルウェハを提供する。【解決手段】 立方晶半導体(111) 基板と、前記基板上に形成された厚さが60nm以上の第1のGaN層と、第1のGaN層上に形成された厚さ 0.1μm以上の第2のGaN層とを備える。

Claim (excerpt)：

立方晶半導体(111) 基板と、前記基板上に形成された厚さが60nm以上の第1のGaN層と、第1のGaN層上に形成された厚さ 0.1μm以上の第2のGaN層とを備えることを特徴とするエピタキシャルウェハ。

IPC (4)：

C30B 29/38 ,  C30B 29/42 ,  H01L 21/20 ,  H01L 33/00

FI (4)：

C30B 29/38 D ,  C30B 29/42 ,  H01L 21/20 ,  H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

• 半導体発光素子の製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-213676   Applicant：ローム株式会社
• エピタキシャルウェハおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-337797   Applicant：住友電気工業株式会社
• 窒化物系III-V族化合物半導体結晶の成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-320804   Applicant：日本電気株式会社
• エピタキシャルウェハおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-018707   Applicant：住友電気工業株式会社
• エピタキシャルウェハおよびそれを用いた半導体レーザ素子ならびにその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-068050   Applicant：住友電気工業株式会社
• 半導体レーザ素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-068049   Applicant：住友電気工業株式会社
• 化合物半導体発光素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-068047   Applicant：住友電気工業株式会社
• 化合物半導体発光素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-068051   Applicant：住友電気工業株式会社

Cited by examiner (8)

• 半導体発光素子の製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-213676   Applicant：ローム株式会社
• エピタキシャルウェハおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-337797   Applicant：住友電気工業株式会社
• 窒化物系III-V族化合物半導体結晶の成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-320804   Applicant：日本電気株式会社
• エピタキシャルウェハおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-018707   Applicant：住友電気工業株式会社
• エピタキシャルウェハおよびそれを用いた半導体レーザ素子ならびにその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-068050   Applicant：住友電気工業株式会社
• 半導体レーザ素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-068049   Applicant：住友電気工業株式会社
• 化合物半導体発光素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-068047   Applicant：住友電気工業株式会社
• 化合物半導体発光素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-068051   Applicant：住友電気工業株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• Comparision of hydride vapor phase epitaxy of GaN layers on cubic GaN/(100)GaAs and Hexagonal GaN/(1
• Epitaxial growth of cubic GaN on (111) GaAs by metalorganic chemical vapor deposition

Cited by examiner (2)

• Comparision of hydride vapor phase epitaxy of GaN layers on cubic GaN/(100)GaAs and Hexagonal GaN/(1
• Epitaxial growth of cubic GaN on (111) GaAs by metalorganic chemical vapor deposition