エピタキシャルウェハおよびその製造方法

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：越場隆
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998078333
Publication number (International publication number)：1998316498
Application date： Mar. 11, 1998
Publication date： Dec. 02, 1998
Summary：

【要約】【課題】立方晶半導体(111) 基板上に形成されたGaN層を有するエピタキシャルウェハを提供する。【解決手段】立方晶半導体(111) 基板と、前記基板上に形成された厚さが60nm以上の第1のGaN層と、第1のGaN層上に形成された厚さ 0.1μm以上の第2のGaN層とを備える。

Claim (excerpt)：

立方晶半導体(111) 基板と、前記基板上に形成された厚さが60nm以上の第1のGaN層と、第1のGaN層上に形成された厚さ 0.1μm以上の第2のGaN層とを備えることを特徴とするエピタキシャルウェハ。

IPC (4)：

C30B 29/38 , C30B 29/42 , H01L 21/20 , H01L 33/00

FI (4)：

C30B 29/38 D , C30B 29/42 , H01L 21/20 , H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

半導体発光素子の製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-213676 Applicant：ローム株式会社
エピタキシャルウェハおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-337797 Applicant：住友電気工業株式会社
窒化物系III-V族化合物半導体結晶の成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-320804 Applicant：日本電気株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

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