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J-GLOBAL ID：200903078370949535

半導体素子

Inventor： 金 文 徳 ,  李 成 国
Applicant, Patent owner： 三星電子株式会社
Agent (1)： 三好 秀和 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001056701
Publication number (International publication number)：2001291667
Application date： Mar. 01, 2001
Publication date： Oct. 19, 2001
Summary：

【要約】【課題】 格子欠陥の少ないヘテロ接合構造半導体素子を提供する。【解決手段】 基板1と基板1上に成長する結晶層4を含むヘテロ接合構造を有し、基板1と結晶層4の間に量子点バッファ層3が存在されているので基板1と結晶層3の格子不整合を効果的に解消する。これにより、電気光学的な特性に優れた半導体素子を得られる。

Claim (excerpt)：

基板上に成長する結晶層を含むヘテロ接合構造の半導体素子において、前記基板と前記結晶層の間に量子点バッファ層が存在することを特徴とする量子点バッファ層を有する半導体素子。

IPC (3)：

H01L 21/20 ,  C30B 29/38 ,  C30B 29/40 502

FI (3)：

H01L 21/20 ,  C30B 29/38 D ,  C30B 29/40 502 H

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 化合物半導体基板、その製造方法および化合物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-019981   Applicant：スタンレー電気株式会社
• 量子ドットを備えた素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-371061   Applicant：富士通株式会社
• 異種材料成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-304457   Applicant：株式会社日立製作所