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J-GLOBAL ID：200903002724034150
化合物半導体基板、その製造方法および化合物半導体発光素子
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高橋 敬四郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998019981
Publication number (International publication number)：1999219904
Application date： Jan. 30, 1998
Publication date： Aug. 10, 1999
Summary：
【要約】【課題】 エピタキシャル層成長用のバッファ層を有する、化合物半導体の基板およびその製造方法ならびにこの基板を用いて形成した化合物半導体発光素子に関し、半導体素子作成工程において発生する困難を低減することのできる化合物半導体基板ないし化合物半導体発光素子を提供することである。【解決手段】 下地単結晶基板と、前記下地単結晶基板上に形成され、厚さのバラツキを有する化合物半導体の第1のバッファ層と、前記第1のバッファ層の上に形成され、第1のバッファ層とは組成の異なる化合物半導体の第2のバッファ層とを有し、前記第1のバッファ層が前記第2のバッファ層よりも歪みを吸収し易い性質を有する材料で形成される。
Claim (excerpt)：
下地単結晶基板と、前記下地単結晶基板上に形成され、厚さのバラツキを有する化合物半導体の第1のバッファ層と、前記第1のバッファ層の上に形成され、第1のバッファ層とは組成の異なる化合物半導体の第2のバッファ層とを有し、前記第1のバッファ層が前記第2のバッファ層よりも歪みを吸収し易い性質を有する材料で形成された化合物半導体基板。
IPC (2)：
FI (3)：
H01L 21/20
, H01L 33/00 C
, H01L 33/00 D
Cited by examiner (6)
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半導体素子
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平6-038157
Applicant：株式会社東芝
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III-V族窒化物半導体素子
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平9-031238
Applicant：株式会社豊田中央研究所
-
半導体発光素子およびその作製方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平7-130877
Applicant：日本電信電話株式会社
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Article cited by the Patent：
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