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J-GLOBAL ID：200903078489050263

酸化セリウム研磨剤および基板の研磨法

Inventor： 吉田 誠人 ,  芦沢 寅之助 ,  寺崎 裕樹 ,  倉田 靖 ,  松沢 純 ,  丹野 清仁 ,  大槻 裕人
Applicant, Patent owner： 日立化成工業株式会社
Agent (1)： 三好 秀和 (外8名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001275530
Publication number (International publication number)：2002138275
Application date： Sep. 30, 1997
Publication date： May. 14, 2002
Summary：

【要約】【課題】 SiO2絶縁膜等の被研磨面を傷なく高速に研磨する酸化セリウム研磨剤を提供する。【解決手段】 TEOS-CVD法で作製したSiO2絶縁膜を形成させたSiウエハを、粉末X線リートベルト法(RIETAN-94)による解析で等方的微小歪を表わす構造パラメーター:Yの値が0.01以上0.70以下である酸化セリウム粒子を媒体に分散させたスラリー研磨剤で研磨する。

Claim (excerpt)：

粉末X線リートベルト法(RIETAN-94)による解析で等方的微小歪を表わす構造パラメーター:Yの値が0.01以上0.70以下である酸化セリウム粒子を媒体に分散させたスラリーを含む酸化セリウム研磨剤。

IPC (4)：

C09K 3/14 550 ,  B24B 37/00 ,  H01L 21/304 621 ,  H01L 21/304 622

FI (4)：

C09K 3/14 550 D ,  B24B 37/00 H ,  H01L 21/304 621 Z ,  H01L 21/304 622 D

F-Term (7)：

3C058AA07 ,  3C058CB01 ,  3C058CB03 ,  3C058CB10 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 酸化セリウム研磨剤および基板の研磨法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-265979   Applicant：日立化成工業株式会社
• 研磨材及び研磨方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-272761   Applicant：三井金属鉱業株式会社
• 半導体用研磨剤および半導体用研磨剤の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-116556   Applicant：セイミケミカル株式会社