Pat

J-GLOBAL ID：200903020476433688

酸化セリウム研磨剤および基板の研磨法

Inventor： 吉田 誠人 ,  芦沢 寅之助 ,  寺崎 裕樹 ,  倉田 靖 ,  松沢 純 ,  丹野 清仁 ,  大槻 裕人
Applicant, Patent owner： 日立化成工業株式会社
Agent (1)： 若林 邦彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997265979
Publication number (International publication number)：1998152673
Application date： Sep. 30, 1997
Publication date： Jun. 09, 1998
Summary：

【要約】【課題】 SiO2絶縁膜等の被研磨面を傷なく高速に研磨する酸化セリウム研磨剤を提供する。【解決手段】 TEOS-CVD法で作製したSiO2絶縁膜を形成させたSiウエハを、一次粒子の径が10〜600nmで中央値が30〜250nmであり粒子径の中央値が150〜600nmで最大径が3000nm以下である酸化セリウム粒子を媒体に分散させたスラリーを含む酸化セリウム研磨剤で研磨する。

Claim (excerpt)：

一次粒子径の中央値が30〜250nmであり粒子径の中央値が150〜600nmである酸化セリウム粒子を媒体に分散させたスラリーを含む酸化セリウム研磨剤。

IPC (7)：

C09K 3/14 550 ,  B24B 37/00 ,  C01F 17/00 ,  C08K 3/22 ,  C08L101/00 ,  C09C 1/68 ,  H01L 21/304 321

FI (7)：

C09K 3/14 550 D ,  B24B 37/00 H ,  C01F 17/00 A ,  C08K 3/22 ,  C08L101/00 ,  C09C 1/68 ,  H01L 21/304 321 P

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 研磨材及び研磨方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-272761   Applicant：三井金属鉱業株式会社
• 研磨剤及び研磨方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-252402   Applicant：株式会社日立製作所
• 結晶性酸化第二セリウムの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-155997   Applicant：日産化学工業株式会社
• 半導体用研磨剤および半導体用研磨剤の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-116556   Applicant：セイミケミカル株式会社
• 酸化セリウム研磨剤及び基板の研磨法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-014370   Applicant：日立化成工業株式会社
• 酸化セリウム研磨剤及び基板の研磨法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-258767   Applicant：日立化成工業株式会社