ダイヤモンド形成用基体の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小池隆彌
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997354698
Publication number (International publication number)：1999180797
Application date： Dec. 24, 1997
Publication date： Jul. 06, 1999
Summary：

【要約】【課題】合成ダイヤモンド薄膜を形成する場合において、合成初期の核発生密度が低いため、緻密で平滑性が高く、大面積のダイヤモンド薄膜を容易に得ることができなかった。【解決手段】上記課題を解決するために、気相法によりダイヤモンドを合成するためダイヤモンド薄膜形成用基体の製造方法として、表面を有機単分子で被覆したダイヤモンド微粒子が分散された溶液中に、表面が水酸基化処理された基体を浸漬する方法を見い出した。このことによって、ダイヤモンド微粒子同士が、有機単分子を介してネットワーク的に結合させることにより、2次元ダイヤモンド微粒子膜を作製し、それを基体表面上に吸着させることにより、ダイヤモンド微粒子を高密度に基体上に塗布することができる。

Claim (excerpt)：

基体の表面を水酸基化処理する工程と、有機単分子で表面が被覆されたダイヤモンド微粒子が分散された溶液に、前記基体を浸漬する工程とを有することを特徴とするダイヤモンド形成用基体の製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

ダイヤモンドの析出方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-250399 Applicant：株式会社豊田中央研究所
ダイヤモンド薄膜とダイヤモンド薄膜合成用基板の処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-181525 Applicant：旭硝子株式会社, 東京瓦斯株式会社, 日本電気株式会社
特開平1-103991

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