発光ダイオードおよび半導体レーザー

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner： , ,
Agent (1)：西義之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000024843
Publication number (International publication number)：2001210864
Application date： Jan. 28, 2000
Publication date： Aug. 03, 2001
Summary：

【要約】【課題】SrCu2 O2 膜上にn型ZnOを成膜してダイオード特性が発現することは確認されているが、ダイオードからの発光は確認できていなかった。【構成】透明基板上に積層した発光特性を示すn型ZnO層上に、SrCu2 O2 、CuAlO2 、またはCuGaO2 からなるp型半導体のうちの一つを積層して形成したp-n接合からなることを特徴とする半導体紫外発光素子。透明基板は、単結晶基板、特に、原子状に平坦化したイットリア部分安定化ジルコニア(YSZ)(111)基板がよい。透明基板上に、基板温度200〜1200°Cでn型ZnOを成膜し、さらにその上に、SrCu2 O、CuAlO2 またはCuGaO2 からなるp型半導体層を成膜する。基板を加熱することなく、n型ZnOを成膜し、該ZnO膜表面に紫外光を照射して結晶化を進めることもできる。

Claim (excerpt)：

透明基板上に積層したバンドギャップ付近の固有発光のみを示すn型ZnO層上に、SrCu2 O2 、CuAlO2 、またはCuGaO2 からなるp型半導体のうちの一つを積層して形成したp-n接合からなることを特徴とする紫外発光ダイオード。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01S 5/327

FI (2)：

H01L 33/00 D , H01S 5/327

F-Term (13)：

5F041CA03 , 5F041CA41 , 5F041CA46 , 5F041CA77 , 5F041CA88 , 5F041CA98 , 5F041CB11 , 5F073CA22 , 5F073CA23 , 5F073CA24 , 5F073CB05 , 5F073CB22 , 5F073DA35

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-204432 Applicant：ティーディーケイ株式会社
金属酸化物系の透明導電膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-121414 Applicant：旭硝子株式会社
成膜用基板の成膜面の仕上げ方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-342465 Applicant：住友電気工業株式会社

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Cited by examiner (5)

半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-204432 Applicant：ティーディーケイ株式会社
金属酸化物系の透明導電膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-121414 Applicant：旭硝子株式会社
成膜用基板の成膜面の仕上げ方法
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