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J-GLOBAL ID：200903079058079090

静電チャック面への熱伝達流体の流れのための導管

Inventor： ドンデ アリク ,  メイデン ダン ,  ステガー ロバート ジェイ. ,  ウェルドン エドウィン シー. ,  リュー ブライアン ,  ダイア ティモシー
Applicant, Patent owner： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997111367
Publication number (International publication number)：1998050813
Application date： Apr. 28, 1997
Publication date： Feb. 20, 1998
Summary：

【要約】【課題】 本発明は、静電チャック面への冷却ガス又はその他の熱伝達流体の流れを促進させるための2種類の構造(一つの基本構造の範囲内の多くの変形構造を含む)と、その構造の製作方法を提供することを目的とする。【解決手段】 この基本構造は、RFプラズマ環境での熱伝達ガスの分解、そしてそのような環境での、半導体基板と、静電チャックの導体ペデスタル部分との間に発生するアークに関する問題を解決するものである。この構造は、熱伝達流体流路(338)を有する導体層(330)と、前記導体層の一部分に接触し、前記導体層の一部分を前記熱伝達流体流路から隔離するように働く誘電体インサート(320)と、前記導体層の少なくとも一部の上に積層し、前記導体層からの前記熱伝達流体流路に接続された少なくとも一つの開口(332)を備える誘電体層(322)と、を備えている。

Claim (excerpt)：

静電チャックの上面への熱伝達流体の流れを促進する構成であって、(a)少なくとも一つの熱伝達流体流路を有する導体層と、(b)前記導体層の少なくとも一部分に接触し、前記導体層の少なくとも一部分を、熱伝達流体流路から隔離するように働く、少なくとも一つの隔離誘電体インサートと、(c)前記導体層の少なくとも一部の上に積層し、前記下地導体層からの前記熱伝達流体流路に接続された少なくとも一つの開口を備える、誘電体層と、を備える構造。

IPC (2)：

H01L 21/68 ,  B23Q 3/15

FI (2)：

H01L 21/68 R ,  B23Q 3/15 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 高密度プラズマに使用可能な静電チャック
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-302845   Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• 処理方法及び処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-272468   Applicant：東京エレクトロン株式会社
• 静電チャック内のアーキング防止方法及び装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-256799   Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• 静電吸着電極およびその製作方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-247537   Applicant：株式会社日立製作所
• 誘電体層の接着力を高める表面の作製
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-111359   Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド