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J-GLOBAL ID:200903086280962268

静電チャック内のアーキング防止方法及び装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996256799
Publication number (International publication number):1997129717
Application date: Sep. 27, 1996
Publication date: May. 16, 1997
Summary:
【要約】【課題】 静電チャック内の熱移動流体の絶縁破壊が防止される。【解決手段】 本発明は、冷却ガスその他の熱移動流体の静電チャックの表面への流れを促進する基本的な構造体と、この構造体を製作する好ましい方法とを提供する。この基本構造体は、静電チャックの誘電表面層とその下側の導電層との間の界面を捜すRFプラズマ環境の課題に対処するものである。基本的な流体流動導管構造体は、少なくとも一種類の流体の通路を収容する下側の導電層と、下側の導電層内の流体流動通路に接続する誘電層の中を通る開口又は通路を少なくとも1つ有する少なくとも1つの上側誘電層とを有しており、構造体全体に流体流動通路を与えている。この下側の導電層の構造では、誘電層の厚さが、誘電層の中から下側の導電層のガス流体流動通路へと至る開口又流体流動通通路で著しく増加する。
Claim (excerpt):
静電チャックの上面への熱移動流体の流れを促進する構造体であって、(a)少なくとも1つの流体流動通路を有する導電層であって、前記導電層は前記導電層の上面に第1の開口を少なくとも1つ有し、前記導電層の上面と前記静電チャックの上面との間の距離は、前記少なくとも1つの第1の開口の近傍の領域でより大きくなる、前記導電層と、(b)前記導電層の上側にある誘電層であって、前記誘電層は、前記導電層の中の前記第1の開口と接続する前記誘電層の表面からの第2の開口を少なくとも1つ有して、前記流体流動通路から前記誘電層の表面までの流体の流体流動通路を形成する、前記誘電層とを備える構造体。
IPC (3):
H01L 21/68 ,  B23Q 3/15 ,  H01L 21/3065
FI (3):
H01L 21/68 R ,  B23Q 3/15 D ,  H01L 21/302 B
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
  • 静電チャック
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平5-107364   Applicant:東京エレクトロン株式会社
  • 静電チャック
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平5-319291   Applicant:信越化学工業株式会社
  • ホツトプレート
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平3-313295   Applicant:電気化学工業株式会社

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