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J-GLOBAL ID：200903079184609550

セラミックス基板およびそれを用いた回路基板

Inventor： 中 山 憲 隆 ,  白 井 隆 雄 ,  那 波 隆 之
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 吉武 賢次 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001210948
Publication number (International publication number)：2003031733
Application date： Jul. 11, 2001
Publication date： Jan. 31, 2003
Summary：

【要約】【課題】 機械的特性がすぐれ、実装信頼性が優れたセラミックス基板およびセラミックス回路基板の提供【解決手段】 基板側面部の表面粗さが、Ra0.3〜0.7μmであり、Rmaxが3.0〜7.0μmであることを特徴とするセラミックス基板、およびこのセラミックス基板の両面に金属板が接合された、セラミックス回路基板。

Claim (excerpt)：

基板側面部の表面粗さが、Ra0.3〜0.7μmであり、Rmaxが3.0〜7.0μmであることを特徴とする、セラミックス基板。

IPC (3)：

H01L 23/15 ,  C04B 37/02 ,  H05K 1/02

FI (3)：

C04B 37/02 B ,  H05K 1/02 F ,  H01L 23/14 C

F-Term (19)：

4G026BA03 ,  4G026BA05 ,  4G026BA16 ,  4G026BA17 ,  4G026BB22 ,  4G026BB27 ,  4G026BD12 ,  4G026BF16 ,  4G026BH07 ,  5E338AA01 ,  5E338AA02 ,  5E338AA18 ,  5E338BB63 ,  5E338BB65 ,  5E338BB71 ,  5E338CC01 ,  5E338EE01 ,  5E338EE02 ,  5E338EE26

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 窒化アルミニウム焼結体及びその用途
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-114528   Applicant：電気化学工業株式会社
• 低誘電率セラミツクス回路基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平2-404218   Applicant：富士通株式会社
• 半導体装置の検査方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-136559   Applicant：日本特殊陶業株式会社