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J-GLOBAL ID：200903079320067210

イオンセンサ

Inventor： 逢坂 哲彌 ,  笹野 順司 ,  芝田 学 ,  佐竹 大輔 ,  山内 悠 ,  野村 聡
Applicant, Patent owner： 株式会社堀場製作所
Agent (3)： 西村 竜平 ,  佐藤 明子 ,  齊藤 真大
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008083283
Publication number (International publication number)：2009236687
Application date： Mar. 27, 2008
Publication date： Oct. 15, 2009
Summary：

【課題】比較部の安定性に優れるとともに、化学的・物理的耐久性にも優れることにより、測定結果の再現性及び安定性が良好であり、かつ、小型化及び固体化が可能なイオンセンサを提供する。【解決手段】ゲート部にイオン感応膜が設けてある第1及び第2のISFETを備えていて、前記ISFETの一方は、そのゲート部に、測定対象イオンに対して不感応なイオン不感応基を有する原料化合物と当該測定対象イオンに対して感応するイオン感応基を有する原料化合物とからなる自己組織化単分子膜により表面が被覆されたイオン感応膜を有し、かつ、前記ISFETの一方の当該測定対象イオンに対する感度が、前記ISFETの他方の当該測定対象イオンに対する感度よりも低いものであるようにした。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

ゲート部にイオン感応膜が設けてある第1及び第2のISFETを備えていて、 前記ISFETの一方は、そのゲート部に、測定対象イオンに対して不感応なイオン不感応基を有する原料化合物と当該測定対象イオンに対して感応するイオン感応基を有する原料化合物とからなる自己組織化単分子膜により表面が被覆されたイオン感応膜を有し、かつ、 前記ISFETの一方の当該測定対象イオンに対する感度が、前記ISFETの他方の当該測定対象イオンに対する感度よりも低いものであるイオンセンサ。

IPC (1)：

G01N 27/414

FI (2)：

G01N27/30 301V ,  G01N27/30 301E

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 半導体イオンセンサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-243430   Applicant：富士電機株式会社
• 半導体センシングデバイスおよびその製造方法と、該デバイスを有してなるセンサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-278203   Applicant：学校法人早稲田大学
• 半導体センシングデバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-084200   Applicant：学校法人早稲田大学
• 半導体DNAセンシングデバイス及びDNAセンシング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-057706   Applicant：学校法人早稲田大学