半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：國分孝悦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995152453
Publication number (International publication number)：1996321546
Application date： May. 26, 1995
Publication date： Dec. 03, 1996
Summary：

【要約】【目的】スパッタ法で配線膜を形成するに当たり、微小なコンタクト孔での側面部分のカバレッジを十分に向上させ、コンタクトの信頼性を高くする。【構成】液体窒素を用いてシリコン基板1を室温以下のマイナス40°Cに保持し、スパッタ法によりチタン膜6およびアルミニウム合金膜7を形成する。これにより、コンタクト孔5の側面での核形成密度が向上するとともに、コンタクト孔5の開口部でアルミニウム合金膜7が横方向に成長するのを抑制できる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成された第1の配線層と、前記第1の配線層上の絶縁膜に形成されたコンタクト孔において前記第1の配線層に接続された第2の配線層とを有する半導体装置の製造方法において、前記半導体基板の温度を室温以下に設定したスパッタ法により前記第2の配線層を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/768 , C23C 14/34 , H01L 21/203 , H01L 21/285 301 , H01L 21/3205

FI (5)：

H01L 21/90 A , C23C 14/34 K , H01L 21/203 S , H01L 21/285 301 R , H01L 21/88 N

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

薄膜形成装置および薄膜形成方法ならびにそれらを用いた半導体集積回路装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-030259 Applicant：株式会社日立製作所
特開平3-156920
特開平3-156920

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