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J-GLOBAL ID：200903079466100545

太陽電池および太陽電池を製造する方法

Inventor： チェン,ミイン-ジャン ,  シュ,ウェン-チン ,  ホ,ス-フア ,  ワン,ジュン-ツン
Applicant, Patent owner： シノ-アメリカン シリコン プロダクツ インコーポレイテッド ,  チェン,ミイン-ジャン
Agent (1)： ▲吉▼川 俊雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007237353
Publication number (International publication number)：2008085327
Application date： Sep. 13, 2007
Publication date： Apr. 10, 2008
Summary：

【課題】太陽電池内の各層を形成するプロセスにおいて、太陽電池に対する熱的影響および熱亀裂の発生を抑制する原子層多層構造を備えた太陽電池および太陽電池を製造する方法を提供する。【解決手段】半導体構造結合体および少なくとも1つの酸化物で形成される原子層多層構造を含む。半導体構造結合体は少なくとも1つのpn接合を含み、被照面を有する。原子層多層構造は半導体構造結合体の被照面を覆う。特に、原子層多層構造は表面パッシベーション層、透明導電層、さらには反射防止層として機能する。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

少なくとも1つのpn接合を含み、被照面を有する半導体構造結合体と、 少なくとも1つの酸化物で形成され、前記半導体構造結合体の前記被照面を覆う第1の原子層多層構造であって、表面パッシベーション層および透明導電層として機能する第1の原子層多層構造と、 を備える太陽電池。

IPC (1)：

H01L 31/04

FI (3)：

H01L31/04 F ,  H01L31/04 H ,  H01L31/04 M

F-Term (10)：

5F051DA03 ,  5F051FA02 ,  5F051FA13 ,  5F051FA18 ,  5F051FA19 ,  5F051FA22 ,  5F051GA04 ,  5F051HA03 ,  5F051HA06 ,  5F051HA07

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 有機電子デバイス素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-141590   Applicant：株式会社デンソー, 株式会社豊田中央研究所
• 有機EL素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-174172   Applicant：株式会社デンソー
• 太陽電池素子及びこれを用いた太陽電池モジュール
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-172852   Applicant：京セラ株式会社
• 原子層エピタキシャル成長法による成膜方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-032809   Applicant：株式会社デンソー

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• "Ultralow surface recombination of c-Si substrates passivated by plasma-assisted atomic layer deposi

Cited by examiner (1)

• "Ultralow surface recombination of c-Si substrates passivated by plasma-assisted atomic layer deposi