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J-GLOBAL ID：200903079519985196

半導体発光素子の製法

Inventor： 園部 雅之
Applicant, Patent owner： ローム株式会社
Agent (1)： 河村 洌 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995057685
Publication number (International publication number)：1996255928
Application date： Mar. 16, 1995
Publication date： Oct. 01, 1996
Summary：

【要約】【目的】 チッ化ガリウム系半導体層のエッチングをマスクとの選択比を大きくとれるようにするとともに、エッチング面などにコンタミネーションが付着しないようにして高特性の半導体発光素子がえられる製法を提供する。【構成】 基板1上に少なくともn型層3、4およびp型層6、7を含み発光(活性)層5を有するチッ化ガリウム系化合物半導体層を積層し、該積層された半導体層の一部をエッチングする半導体発光素子の製法であって、前記半導体層のエッチングをフッ素系ガスプラズマにより生じるフッ素イオンビームでドライエッチングすることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

基板上に少なくともn型層およびp型層を含み発光層を有するチッ化ガリウム系化合物半導体層を積層し、該積層された半導体層の一部をエッチングする半導体発光素子の製法であって、前記半導体層のエッチングをフッ素系ガスプラズマにより生じるフッ素イオンビームでドライエッチングすることを特徴とする半導体発光素子の製法。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (2)：

H01L 33/00 C ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 特開平1-204425
  
• 特開平3-108779
  
• 半導体発光装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-004719   Applicant：旭化成工業株式会社
• 電子ビーム励起プラズマエツチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-227168   Applicant：富士通株式会社
• 半導体材料のエッチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-107745   Applicant：キヤノン株式会社
• マルチカスプ磁場発生装置及びプラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-114275   Applicant：日電アネルバ株式会社