フラーレン誘導体及びフラーレン金属錯体、並びにそれらの製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：真田有
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005014594
Publication number (International publication number)：2005232165
Application date： Jan. 21, 2005
Publication date： Sep. 02, 2005
Summary：

【課題】フラーレンC70骨格に、炭素数1〜20の有機基が6個又は7個結合している新規な誘導体を提供する。【解決手段】フラーレンと一価の有機銅試薬とを反応させることにより、新たなフラーレン誘導体(フラーレン金属錯体)を得ることができる。この製造方法は前記のフラーレン誘導体を少ない工程で効率的に製造することができるので、工業上有利である。金属原子は特に制限はないが、特に好ましいくは、1族の金属原子及び8族の遷移金属である。1族の金属錯体はフラーレン骨格のシクロペンタジエニル部位に反応性を有するため反応性中間体として有用であり、一方、8族の遷移金属錯体は安定であるため、そのまま種々の材料として用いることができる。これらの新たなフラーレン誘導体は、電子材料、半導体、生理活性物質など、様々な分野で用いて好適である。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

フラーレンC70骨格に、炭素数1〜20の有機基が6個結合していることを特徴とする、フラーレン誘導体。

IPC (5)：

C07C13/62 , C07C25/22 , C07C43/20 , C07F1/06 , C07F17/00

FI (5)：

C07C13/62 , C07C25/22 , C07C43/20 D , C07F1/06 , C07F17/00

F-Term (16)：

4H006AA01 , 4H006AA02 , 4H006AB20 , 4H006AB91 , 4H006AC22 , 4H048AA01 , 4H048AA02 , 4H048AB20 , 4H048AB91 , 4H048VA50 , 4H050AA01 , 4H050AA02 , 4H050AB20 , 4H050AB91 , 4H050WB11 , 4H050WB21

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

炭素クラスター誘導体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-328318 Applicant：三菱化学株式会社
C60誘導体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-056572 Applicant：三菱化学株式会社
炭素クラスターアニオン及びこれを含む金属錯体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-043180 Applicant：三菱化学株式会社

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Cited by examiner (5)

フラーレン誘導体およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-238578 Applicant：浜松ホトニクス株式会社
フラーレンオルガノシロキサン共重合体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-345112 Applicant：日本化薬株式会社
低誘電率の回路配線用絶縁材料及びこれを用いた電子部品
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-067287 Applicant：富士通株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

Chemical Physics Letters, 2001, 350(1,2), 33-38
ChemPhysChem, 2001, 2(2), 109-114
Journal of the Chemical Society, Perkin Transactions 2, 2001, (2), 140-145

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