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J-GLOBAL ID：200903079857855010

固体撮像装置、その製造方法、およびデジタルカメラ

Inventor： 白石 聡子 ,  渡邉 高典
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (3)： 宮崎 昭夫 ,  伊藤 克博 ,  石橋 政幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004257313
Publication number (International publication number)：2006073885
Application date： Sep. 03, 2004
Publication date： Mar. 16, 2006
Summary：

【課題】光が入射することによって電荷を発生する受光部が形成された半導体基板上に表面保護膜を有する固体撮像装置において、表面保護膜にクラックなどが発生するのを抑制する。【解決手段】半導体基板のp型ウェル領域104中に、受光部を構成するn型蓄積領域106が形成されている。半導体基板上には、層間絶縁膜105bを介して表面保護膜として機能するシリコン窒化膜102が形成されている。シリコン窒化膜102は、膜厚の互いに異なる領域を有している。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体基板と、該半導体基板に形成され、光が入射することによって電荷を発生する受光部とを有する固体撮像装置であって、 前記半導体基板上に水素供給膜を有し、該水素供給膜の、前記受光部に対応する領域の少なくとも一部は、その他の箇所よりも膜厚が厚いことを特徴とする固体撮像装置。

IPC (2)：

H01L 27/146 ,  H01L 27/14

FI (2)：

H01L27/14 A ,  H01L27/14 D

F-Term (14)：

4M118AA08 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CA04 ,  4M118CA32 ,  4M118CA34 ,  4M118FA06 ,  4M118FA28 ,  4M118FA33 ,  4M118GC07 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07 ,  4M118GD10

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 固体撮像素子とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-280758   Applicant：ソニー株式会社
• 暗電流を減少させたイメージセンサの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-329424   Applicant：株式会社ハイニックスセミコンダクター
• 固体撮像装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-235826   Applicant：松下電子工業株式会社
• 固体撮像素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-029931   Applicant：ソニー株式会社