気相成長装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：青山葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001364465
Publication number (International publication number)：2003163169
Application date： Nov. 29, 2001
Publication date： Jun. 06, 2003
Summary：

【要約】【課題】装置の稼働率を向上させることができる気相成長装置を提供する。【解決手段】成長室1とフィルタ42とを排気通路4で接続している。排気通路4は、排気配管11、排気配管12および排気配管13からなっている。排気配管12の内壁には凸部7を設けている。これにより、未反応の原料ガスによる生成物が排気配管12で効率よく捕獲することができる。

Claim (excerpt)：

成長室とフィルタとを排気通路で接続している気相成長装置において、上記排気通路の少なくとも一部を、未反応の原料ガスによる生成物を捕獲する捕獲構造を内面に有する捕獲用排気管により構成したことを特徴とする気相成長装置。

IPC (2)：

H01L 21/205 , C23C 16/44

FI (2)：

H01L 21/205 , C23C 16/44 J

F-Term (8)：

4K030DA06 , 4K030EA11 , 4K030KA11 , 4K030KA26 , 5F045AA04 , 5F045AA06 , 5F045EC07 , 5F045EG08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体化学気相成長システム
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-331422 Applicant：株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
半導体製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-060212 Applicant：株式会社日立国際電気
プラズマCVD法による堆積膜形成装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-199869 Applicant：キヤノン株式会社

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