プラズマCVD法による堆積膜形成装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：長尾達也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998199869
Publication number (International publication number)：1999080964
Application date： Jun. 30, 1998
Publication date： Mar. 26, 1999
Summary：

【要約】【課題】本発明は、長時間にわたる連続成膜においても堆積膜に欠陥が発生することなく高品質の堆積膜を形成することができ、また、後段の排気系に排気ガスに含まれている粉体生成成分が到達することを防止し、真空排気系に微粉体の詰まりによる故障が発生することなく長時間連続して稼動可能なプラズマCVD法による堆積膜形成装置を提供することを目的とする。【解決手段】少なくとも真空容器と、ガス供給手段とガス排気手段と放電手段とを備え、前記真空容器内の基板上にプラズマCVD法により堆積膜を形成する堆積膜形成装置において、前記真空容器内のプラズマ放電空間内及び/又はプラズマ放電空間近傍に、ルーバー状部材を配置したことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

少なくとも真空容器と、ガス供給手段とガス排気手段と放電手段とを備え、前記真空容器内の基板上にプラズマCVD法により堆積膜を形成する堆積膜形成装置において、前記真空容器内のプラズマ放電空間内及び/又はプラズマ放電空間近傍に、ルーバー状部材を配置したことを特徴とする堆積膜形成装置。

IPC (3)：

C23C 16/50 , H01L 21/205 , H01L 31/04

FI (3)：

C23C 16/50 , H01L 21/205 , H01L 31/04 V

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

堆積膜形成方法および装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-056014 Applicant：キヤノン株式会社
成膜装置およびその排気トラップ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-341828 Applicant：株式会社日立製作所, 国際電気株式会社
プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-075636 Applicant：日新電機株式会社

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