窒化物化合物半導体発光素子

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998036263
Publication number (International publication number)：1998294531
Application date： Feb. 18, 1998
Publication date： Nov. 04, 1998
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】接触抵抗が低くさらに良好なワイアボンディングができる電極を有する窒化物化合物半導体発光素子を提供する。【解決手段】電流阻止層111を、所定の金属の酸化物、炭素.p型およびn型の導電性を示す不純物を含むn型のB(1-x-y-z) InX Aly Gaz N単結晶層(0≦x,y,z≦1)、水素または酸素によってキャリアが不活性化されてなるi型B(1-x-y-z) InX Aly Gaz N単結晶層(0≦x,y,z≦1)のいずれかの材料にしたため、ドライエッチンクプロセスを不要とした内部電流狭窄構造を実現する。または、逆バイアス電圧を印加することにより、電流経路に沿って半導体層を活性化することができ、それ以下の領域を電流ブロック層として作用させることができる。

Claim (excerpt)：

電流阻止層を備えた窒化物化合物半導体発光素子であって、前記電流阻止層は、チタン(Ti)、マグネシウム(Mg)、ニッケル(Ni)、クロム(Cr)、スカンジウム(Sc)、亜鉛(Zn)、インジウム(In)、錫(Sn)、タングステン(W)からなる群から選ばれた金属の酸化物からなることを特徴とする窒化物化合物半導体発光素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

窒化物半導体の電極
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-082428 Applicant：日亜化学工業株式会社
特開平3-094490
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-176033 Applicant：株式会社東芝

Show all

Return to Previous Page