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J-GLOBAL ID：200903079986185586

光学素子、それを使用した面発光レーザ装置及び端面発光型半導体レーザ装置

Inventor：
吉川 隆士

About 吉川 隆士


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 藤巻 正憲
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998027519
Publication number (International publication number)：1999233888
Application date： Feb. 09, 1998
Publication date： Aug. 27, 1999
Summary：
【要約】【課題】 高精度で容易に大量生産することができる光学素子、それを使用した面発光レーザ装置及び端面発光型半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】 総計12層の半導体層から構成されており、第1層は厚さが使用される光の波長の、例えば1/6であるGaAs層1から構成されている。第2層は第1層と同じ厚さを有しており、中央部にAlAs層2aが形成され、その周辺部に酸化AlAs層2bが形成されて構成されている。AlAs層2aの屈折率が約3.0であるのに対して酸化AlAs層2bの屈折率は約1.7であり、極めて小さい。また、第3層は、第1層と同様に、GaAs層1から構成されており、第4層は、第2層と同様に、AlAs層2a及び酸化AlAs層2bから構成されている。
Claim (excerpt)：
複数個の半導体層を有し、このうち特定の半導体層は第1の屈折率を有する第1の層と、前記第1の屈折率とは相違する第2の屈折率を有し前記第1の層の側方に設けられた第2の層とを有することを特徴とする光学素子。
IPC (2)：
H01S 3/18 ,  G02B 5/28
FI (2)：
H01S 3/18 ,  G02B 5/28
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
  • 長波長帯面発光レーザ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-320035   Applicant：日本電信電話株式会社
  • 半導体発光素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-177021   Applicant：古河電気工業株式会社
  • 特開昭63-273801
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