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J-GLOBAL ID:200903079993530680
垂直に集積された光ポンプを備えたレーザー放射用の長波長垂直キャビティ表面
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
石田 敬 (外3名)
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):1996530996
Publication number (International publication number):1998501927
Application date: Mar. 11, 1996
Publication date: Feb. 17, 1998
Summary:
【要約】本発明による長波長レーザー放射用垂直キャビティ表面(VCSEL)は、電気ポンピングされたVCSELに光結合され、より短い波長によって光ポンピングされる。下に位置するVCSELの上表面から放射される短波長光は、長波長VCSELの下側ミラーを通って透過される。長波長光は、好ましくは、長波長VCSELの上表面から放射される。2つのVCSELは、好ましくは、透明な光学接着剤、ウェハー融合プロセス、又は金属-金属結合を用いて相互に接合される。
Claim (excerpt):
第1のレーザー放射用垂直キャビティ表面(VCSEL)であって、第1ミラーと第2ミラーの間に介在する長波長活性媒体を有し、第1波長で光を放射する第1VCSEL、及び 電気ポンピングされて第2波長で光を放射する第2VCSELであって、その第2波長はその第1波長よりも短い、第2VCSELを含んでなり、 その第2VCSELがその第1VCSELを光ポンピングする光学デバイス。
IPC (2):
FI (2):
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (10)
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半導体レーザ装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-000638
Applicant:日本電気株式会社
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特開平3-046384
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面形発光素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-020489
Applicant:日本電信電話株式会社
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面発光半導体レーザ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-005123
Applicant:コニカ株式会社
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特表平5-500736
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特開平4-263485
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半導体装置及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-123615
Applicant:富士通株式会社
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面発光レーザ装置及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-082175
Applicant:三洋電機株式会社
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特表平5-508265
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半導体レーザ素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-071518
Applicant:株式会社日立製作所
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