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J-GLOBAL ID:200903080188300870

成膜方法及び成膜装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 牧野 剛博 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001033727
Publication number (International publication number):2002241926
Application date: Feb. 09, 2001
Publication date: Aug. 28, 2002
Summary:
【要約】【課題】 広範囲に制御可能な比抵抗を有する酸化亜鉛系の透明導電膜を大面積の基板上に均一に形成すること。【解決手段】 ZnOを主成分としAl2O3等の3族元素を含有する膜材料粒子が高効率でイオン化し、膜中に最適な運動エネルギーで打ち込まれるので、Al等の3族不純物元素の表面マイグレーションが促進され、他の方法に比べてより均一に不純物元素を分散させることできる。この結果、適切な不純物制御が行ないやすくなり、理論的な予測に基づく物質合成ができ、低比抵抗の酸化亜鉛系の透明導電幕が合成できる。さらにこの時、酸素ガスと窒素ガスの雰囲気圧を適切に制御しながら成膜することで、比抵抗で2μΩmから無限大まで幅広く膜質を調整することが可能となった。
Claim (excerpt):
成膜室中に陽極として配置された材料蒸発源に向けてプラズマビームを供給することによって前記材料蒸発源の膜材料を蒸発させて成膜室中に配置された基板の表面に付着させる成膜方法であって、前記膜材料は、酸化亜鉛を主成分とし、3族元素ないしは3族元素の酸化物を添加したものであることを特徴とする成膜方法。
IPC (5):
C23C 14/08 ,  C23C 14/32 ,  G02F 1/1343 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301
FI (5):
C23C 14/08 C ,  C23C 14/32 H ,  G02F 1/1343 ,  H01L 21/285 B ,  H01L 21/285 301 Z
F-Term (11):
2H092HA03 ,  2H092KB14 ,  2H092MA05 ,  2H092NA28 ,  4K029BA49 ,  4K029BC09 ,  4K029CA04 ,  4K029DD05 ,  4M104BB36 ,  4M104DD34 ,  4M104HH16
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (9)
  • 特許第3120368号
  • 透明導電性薄膜およびその製造方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平5-239674   Applicant:凸版印刷株式会社
  • 真空蒸着用原料
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平5-062863   Applicant:旭硝子株式会社
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