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J-GLOBAL ID：200903080192108771

p型III族窒化物半導体および半導体装置およびその作製方法

Inventor：
岩田 浩和

About 岩田 浩和


Applicant, Patent owner：
株式会社リコー

About 株式会社リコー


Agent (1)： 植本 雅治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001122727
Publication number (International publication number)：2002319743
Application date： Apr. 20, 2001
Publication date： Oct. 31, 2002
Summary：
【要約】【課題】 従来のp型III族窒化物半導体超格子からなるp型半導体よりも低抵抗のp型特性を示す所望の屈折率とバンドギャップを有するp型III族窒化物半導体を提供する。【解決手段】 このp型III族窒化物半導体は、サファイア基板20上に低温GaNバッファー層21,GaN層22が順次積層された積層構造上にエピタキシャル成長された、In0.04Al0.2Ga0.76N層とp型In0.1Al0.04Ga0.86N層との超格子構造からなるp型III族窒化物半導体23である。
Claim (excerpt)：
InとAlを構成元素に含む第1のIII族窒化物半導体と、第1のIII族窒化物半導体よりもバンドギャップが小さく、Inを構成元素に含む第2のIII族窒化物半導体とが交互に積層された超格子構造で構成されていることを特徴とするp型III族窒化物半導体。
IPC (3)：
H01S 5/343 610 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/205
FI (3)：
H01S 5/343 610 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/205
F-Term (40)：
4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA38 ,  4K030CA05 ,  4K030DA03 ,  4K030DA09 ,  4K030FA10 ,  4K030LA14 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB18 ,  5F045AC01 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AD09 ,  5F045AD12 ,  5F045AD14 ,  5F045AF09 ,  5F045BB16 ,  5F045CA11 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA54 ,  5F045DA66 ,  5F045DA68 ,  5F073AA74 ,  5F073AA77 ,  5F073BA01 ,  5F073BA04 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073DA05 ,  5F073EA05 ,  5F073EA28
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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