半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：上野英夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998128987
Publication number (International publication number)：1998341035
Application date： May. 12, 1998
Publication date： Dec. 22, 1998
Summary：

【要約】【課題】全光抽出効率とコスト効率が高く大量生産できる半導体発光素子を提供する。【解決手段】側部表面の向きが、発光層面の垂線方向に対してオフセットした角度をなすように、半導体発光素子を整形した。また注入効率が高くなるように、p-nヘテロ構造を用い、また、上部表面と側部表面の両方からの光抽出の損失が少なくなるように、透明な窓を用いることによって、高い全外部量子効率が得られる。該素子の設計及び製作技法は、大量生産に適するようにウェーハ・ボンディング及びエピタキシャル再成長を介して透明窓を設ける方法によってp-n接合の精密に位置決めし、素子特性と歩留まりの両方を有効に制御する。全抽出効率が向上し、同時に、ウェーハの単位面積当たりに得られる素子数が妥当な程度に保たれる

Claim (excerpt)：

第1の側部を備えた多層ヘテロ構造と、活性素子領域を形成する、多層ヘテロ構造内のp-n接合(11)と、p-n接合に電気的に接続する金属接点(14、15)と、上部素子領域、及び、多層ヘテロ構造に対して斜角をなす連続側部表面を備えた、第1の側部に接する一次透明窓と、が含まれている半導体発光素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

青色発光ダイオード
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-055074 Applicant：日亜化学工業株式会社
半導体デバイス及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-277259 Applicant：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-259702 Applicant：株式会社東芝, 東芝電子エンジニアリング株式会社

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