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J-GLOBAL ID：200903080291430413

半導体装置の不良解析方法及び装置

Inventor： 坂田 正雄 ,  小野 真
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996028935
Publication number (International publication number)：1997223723
Application date： Feb. 16, 1996
Publication date： Aug. 26, 1997
Summary：

【要約】【課題】ウェハ上の座標の目印を個々のチップに付与し、検査座標と観察座標の対応を取る。【解決手段】スクライブラインの一部に目印座標のマークをホト工程で付与できるようにマークを予めマスクパターン上に用意し、半導体ウェハのホト工程毎にウェハ上に目印座標マークを付与し、上記マークからチップ上の座標を特定する。

Claim (excerpt)：

半導体装置を形成する半導体ウェハの不良解析において、電気的不良の発生箇所のウェハ上の位置座標を観察する際に、半導体ウェハ上に目印パターンとなる予め記された領域を定義した座標の原点を基に観察装置を制御し、観察することを特徴とした半導体装置の不良解析方法。

IPC (3)：

H01L 21/66 ,  H01J 37/256 ,  H01L 21/02

FI (5)：

H01L 21/66 A ,  H01L 21/66 C ,  H01L 21/66 J ,  H01J 37/256 ,  H01L 21/02 A