ダイヤモンド薄膜又はCBN、BCN若しくはCN薄膜、同薄膜の改質方法、同薄膜の改質及び形成方法並びに同薄膜の加工方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小越勇
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999018187
Publication number (International publication number)：2000219597
Application date： Jan. 27, 1999
Publication date： Aug. 08, 2000
Summary：

【要約】【課題】基板に形成した気相ダイヤモンド等の薄膜、基板を除去した自立ダイヤモンド等の薄膜(箔又は板)等に存在する歪み、欠陥、色などを効果的に除去又は減少させ、あるいは配向性多結晶又は単結晶体へと改質したダイヤモンド等の薄膜を安定的にかつ再現性よく得る。【解決手段】ダイヤモンド薄膜又はCBN、BCN若しくはCN薄膜の膜厚方向に沿って、0.1μm以上のラマン分光法で評価したダイヤモンドスペクトルの半価幅がほぼ一定である改質された膜厚み領域を有し、その半価幅は膜厚み残部の同最大半価幅の85%以下であることを特徴とするダイヤモンド、CBN、BCN又はCN薄膜。

Claim (excerpt)：

ダイヤモンド薄膜又はCBN、BCN若しくはCN薄膜の膜厚方向に沿って、0.1μm以上のラマン分光法で評価したダイヤモンド等のスペクトルの半価幅がほぼ一定である改質された膜厚み領域を有し、その半価幅は膜厚み残部の同最大半価幅の85%以下であることを特徴とするダイヤモンド、CBN、BCN又はCN薄膜。

IPC (2)：

C30B 29/04 , C01B 21/082

FI (2)：

C30B 29/04 D , C01B 21/082 K

F-Term (22)：

4G077AA03 , 4G077AB10 , 4G077BA03 , 4G077BE11 , 4G077BE12 , 4G077BE18 , 4G077DB18 , 4G077DB19 , 4G077DB23 , 4G077EH10 , 4G077FE02 , 4G077FE06 , 4G077FE11 , 4G077FE15 , 4G077FH05 , 4G077FJ06 , 4G077FJ07 , 4G077HA01 , 4G077HA06 , 4G077HA12 , 4G077HA13 , 4G077HA20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

気相合成ダイヤモンドおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-253873 Applicant：住友電気工業株式会社
ダイヤモンドの加工方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-208711 Applicant：住友電気工業株式会社
特開平3-076129

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