半導体装置とその製造方法および不揮発性半導体記憶装置とその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996228256
Publication number (International publication number)：1998074832
Application date： Aug. 29, 1996
Publication date： Mar. 17, 1998
Summary：

【要約】【課題】コンタクト孔が素子分離領域上にかかったときに発生するショートモードを、コンタクト孔と素子分離領域との間に余裕を取らずに解消できる半導体装置およびその製造方法を提供すること。【解決手段】P型シリコン基板1に形成された、素子分離領域パターンに対応するトレンチ206と、トレンチ206に埋め込まれたシリコン酸化物でなる素子分離領域2と、素子分離領域2の上に形成され、素子分離領域2が含むシリコン酸化物とは異なったシリコン窒化物を含みエッチングの障壁層となる、素子分離領域2の側壁に自己整合した窒化膜5とを具備する。

Claim (excerpt)：

半導体基板に形成された、素子分離領域パターンに対応するトレンチと、前記トレンチに埋め込まれ、素子分離領域となる絶縁物と、前記素子分離領域の上に形成され、前記絶縁物とは異なった材料を含む絶縁膜を含む、前記素子分離領域の側壁に自己整合したエッチング障壁層と、を具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (8)：

H01L 21/768 , H01L 21/28 , H01L 21/3065 , H01L 21/76 , H01L 27/115 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (6)：

H01L 21/90 D , H01L 21/28 L , H01L 21/302 J , H01L 21/76 L , H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-227600 Applicant：株式会社東芝
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-203411 Applicant：三洋電機株式会社
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-063748 Applicant：株式会社東芝

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