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J-GLOBAL ID：200903080641271879

半田バンプの形成方法

Inventor：
高橋 政典

About 高橋 政典

, 
中西 研介

About 中西 研介

, 
池田 一輝

About 池田 一輝


Applicant, Patent owner：
ハリマ化成株式会社

About ハリマ化成株式会社


Agent (1)： 竹安 英雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000101603
Publication number (International publication number)：2001284786
Application date： Apr. 03, 2000
Publication date： Oct. 12, 2001
Summary：
【要約】【課題】 本発明は、レジストオーバーラップ構造型200μピッチ以下のファインピッチ電極に均一で、しかも高く半田バンプを形成する量産性に優れた工法を提供するものである。【解決手段】 本発明は、200μピッチ以下のファインピッチ電極の表層構造の主流であるレジストオーバーラップ型電極への半田バンプ形成において、レジスト面までを銅及びニッケルの無電解メッキで穴埋めを行った後、その上に反応析出型半田組成物を塗布して半田を析出させ、又はソルダペーストを印刷供給してリフローし、半田バンプを形成する。
Claim (excerpt)：
レジストオーバーラップ構造を有するファインピッチ電極への半田バンプ形成において、レジスト(4)の開口(5)内の電極(3)の表面からレジスト(4)の表面までを銅又はニッケルの無電解メッキ層(6)で穴埋めし、そのレジスト(4)及び無電解メッキ層(6)の表面に反応析出型半田組成物を全面に塗布し、加熱して無電解メッキ層の表面に選択的に半田合金を析出させることにより半田バンプ(7)を形成することを特徴とする、半田バンプの形成方法
IPC (2)：
H05K 3/34 505 ,  H01L 21/60 311
FI (2)：
H05K 3/34 505 A ,  H01L 21/60 311 S
F-Term (7)：
5E319AA03 ,  5E319AC01 ,  5E319BB04 ,  5E319CC33 ,  5E319CD29 ,  5E319GG15 ,  5F044KK16
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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