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J-GLOBAL ID：200903080647035590

パターン形成方法

Inventor：
竹石 知之

About 竹石 知之

, 
加藤 寛和

About 加藤 寛和

, 
伊藤 信一

About 伊藤 信一


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (6)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004008290
Publication number (International publication number)：2005203563
Application date： Jan. 15, 2004
Publication date： Jul. 28, 2005
Summary：
【課題】多層レジストプロセスにおける上層のレジスト膜の倒れを抑制すること。【解決手段】被処理基板上に塗布型絶縁膜を形成する工程と、前記塗布型薄膜を洗浄するために、前記塗布型薄膜上に洗浄液を供給する工程と、前記塗布型薄膜上に感光性膜を形成する工程と、前記感光性膜に潜像を形成するために、前記感光性膜の所定の位置にエネルギー線を照射する工程と、前記潜像に基づく感光性膜パターンを形成するために前記感光性膜を現像する工程と、前記感光性膜パターンをマスクとして、前記塗布型絶縁膜を加工する工程とを含むことを特徴とする。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
被処理基板上に塗布型絶縁膜を形成する工程と、 前記塗布型絶縁膜を洗浄するために、前記塗布型絶縁膜上に洗浄液を供給する工程と、 前記塗布型絶縁膜上に感光性膜を形成する工程と、 前記感光性膜に潜像を形成するために、前記感光性膜の所定の位置にエネルギー線を照射する工程と、 前記潜像に基づく感光性膜パターンを形成するために前記感光性膜を現像する工程と、 前記感光性膜パターンをマスクとして、前記塗布型絶縁膜を加工する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。
IPC (3)：
H01L21/027 ,  G03F7/26 ,  G03F7/38
FI (3)：
H01L21/30 563 ,  G03F7/26 511 ,  G03F7/38 501
F-Term (13)：
2H096AA25 ,  2H096BA01 ,  2H096BA09 ,  2H096EA02 ,  2H096EA04 ,  2H096GA08 ,  2H096HA07 ,  2H096JA02 ,  2H096KA02 ,  5F046HA01 ,  5F046HA03 ,  5F046HA07 ,  5F046PA01
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (9)
  • 多層レジストのパターン形成方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-233681   Applicant：富士通株式会社
  • 塗布膜形成方法及びその装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-204196   Applicant：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン九州株式会社
  • 基板処理装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-301973   Applicant：東京エレクトロン株式会社
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Cited by examiner (8)
  • 塗布膜形成方法及びその装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-204196   Applicant：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン九州株式会社
  • 基板処理装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-301973   Applicant：東京エレクトロン株式会社
  • 特開平2-074948
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