面発光半導体レーザーとその製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：角田芳末 , 磯山弘信
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003146739
Publication number (International publication number)：2004349573
Application date： May. 23, 2003
Publication date： Dec. 09, 2004
Summary：

【課題】大出力、単一横モードの面発光半導体レーザーの製造の簡易化を図る。【解決手段】同一基体上に、ゲインを有する電流注入型の発光部1と、ゲインを有することのない2次元フォトニック結晶によるDBR(Distributed Bragg Reflector)部2とを有して成り、DBR部3は、発光部2を取り囲んでリング状に、発光部2からの光波に対して導波結合する位置に配置され構成とし、発光部に対する電流注入のための、一方の電極を、2次元フォトニック結晶DBR部上の少なくとも外周部を除き、発光部上の少なくとも一部に限定的に被着形成された構成とするものである。このように、発光部とDBR部とが平面的に異なる位置に配置した構成とすることによってこれら発光部1とDBR部2とを同一基体上に形成することができるようにして、これらをそれぞれ異なる基体上に形成することによる製造の取り扱いの不都合を回避する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

同一基体上に、ゲインを有する電流注入型の発光部と、ゲインを有することのない2次元フォトニック結晶によるDBR(Distributed Bragg Reflector)部とを有して成り、該DBR部は、上記発光部を取り囲んでリング状に、上記発光部からの光波に対して導波結合する位置に配置され、上記発光部に対する電流注入のための、一方の電極が、上記2次元フォトニック結晶DBR部上の少なくとも外周部を除く、上記発光部上の少なくとも一部に限定的に被着形成されて成ることを特徴とする面発光半導体レーザー。

IPC (1)：

H01S5/183

FI (1)：

H01S5/183

F-Term (12)：

5F073AA11 , 5F073AA63 , 5F073AA74 , 5F073AA89 , 5F073AB20 , 5F073BA02 , 5F073CA04 , 5F073CB02 , 5F073DA05 , 5F073DA22 , 5F073DA25 , 5F073EA11

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

フォトニックバンド構造を有する垂直共振器レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-108271 Applicant：キヤノン株式会社
半導体レーザ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-123837 Applicant：日本電信電話株式会社
半導体レーザの製造方法および集積光回路の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-084096 Applicant：株式会社日立製作所

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