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J-GLOBAL ID：200903080721218324

処理装置及びその方法

Inventor：
小西 信夫

About 小西 信夫

, 
関口 賢治

About 関口 賢治


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 井上 俊夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997316562
Publication number (International publication number)：1999135463
Application date： Oct. 31, 1997
Publication date： May. 21, 1999
Summary：
【要約】【課題】 基板を研磨するにあたり、研磨層の研磨面に供給する研磨液の消費量を少なくすること。また基板を研磨した後洗浄するにあたり、処理装置全体を小形化すること。【解決手段】 ウエハ保持部3に保持された基板をなすウエハWと研磨パッド53とを接触させ、ウエハWと研磨パッド53とを共に回転させてウエハWを研磨する。続いて研磨パッド53をウエハ保持部3の外側の待機位置まで移動させ、次いで洗浄ブラシ70と洗浄液ノズル74とを前記待機位置からウエハWを洗浄するために夫々所定位置まで移動させる。研磨パッド53はウエハWと対向する面の直径がウエハWよりも小さくなるように構成されているので、スラリの消費量が小さくなり、しかもウエハWをウエハ保持部3に保持させて研磨処理と洗浄処理とを連続して行うことができるので、処理装置全体が小形化する。
Claim (excerpt)：
基板を保持し、基板の面方向に沿って回転する基板保持部と、研磨面が基板の被処理面よりも小さい研磨層と、前記研磨面が前記基板保持部とは反対側の基板の被処理面に対向するようにかつ基板の面方向に沿って回転するように前記研磨層を保持する研磨層保持部と、前記基板の被処理面に研磨液を供給する研磨液供給部と、を備え、前記研磨層保持部は、基板の中心部と周縁部との間で研磨層を移動するように構成されたことを特徴とする処理装置。
IPC (2)：
H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304
FI (2)：
H01L 21/304 321 A ,  H01L 21/304 321 E
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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