高強度回路基板およびその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：津国肇 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995252168
Publication number (International publication number)：1997097862
Application date： Sep. 29, 1995
Publication date： Apr. 08, 1997
Summary：

【要約】【課題】導体層と絶縁体層との密着性が強固で、反りや断線等の生じにくいSi3 N4 セラミックスを用いた回路基板および回路基板の製造方法、特に同時焼結による一層配線や多層配線を有する高接合強度回路基板等を提供することを目的とする。【解決手段】少なくとも絶縁体層2と、導体層3、4とを含む回路基板1において、全絶縁体層のうち少なくとも1層が、β-Si3 N4 を主成分とし、希土類元素およびアルカリ土類元素からなる群より選択される1種以上の元素を含有する焼結体であり、かつ全導体層のうち少なくとも1層が、周期律表のIVa、VaおよびVIa族に属する元素より選択される1種以上の元素と、希土類元素およびアルカリ土類元素からなる群より選択される1種以上の元素を含有することを特徴とする回路基板。

Claim (excerpt)：

少なくとも絶縁体層と導体層とを含む回路基板において、全絶縁体層のうち少なくとも1層が、β-Si3 N4 を主成分とし、希土類元素およびアルカリ土類元素からなる群より選択される1種以上の元素を含有する焼結体であり、かつ全導体層のうち少なくとも1層が、周期律表のIVa、VaおよびVIa族に属する元素より選択される1種以上の元素と、希土類元素およびアルカリ土類元素からなる群より選択される1種以上の元素を含有することを特徴とする回路基板。

IPC (2)：

H01L 23/15 , C04B 35/584

FI (4)：

H01L 23/14 C , C04B 35/58 102 C , C04B 35/58 102 B , C04B 35/58 102 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特開平3-218975
回路用絶縁基板
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-203124 Applicant：日本特殊陶業株式会社
特開平4-212441

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