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J-GLOBAL ID：200903080844560310

アクティブマトリクス型表示装置

Inventor：
湯田坂 一夫

About 湯田坂 一夫


Applicant, Patent owner：
セイコーエプソン株式会社

About セイコーエプソン株式会社


Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997234921
Publication number (International publication number)：1999074073
Application date： Aug. 29, 1997
Publication date： Mar. 16, 1999
Summary：
【要約】【課題】 簡単な構造で薄膜発光素子を水分等から保護することのできるアクティブマトリクス型表示装置を提供すること。【解決手段】 アクティブマトリクス型表示装置1では、各画素7に、画素電極41、該画素電極41の上層側に積層された有機半導体膜43、および該有機半導体膜43の上層側に形成された対向電極opを具備する薄膜発光素子40を備えている。対向電極opの上層には基板の略全面を覆う保護膜60が形成されており、この保護膜60によって水分や酸素の侵入を防いで薄膜発光素子40の劣化を防止する。
Claim (excerpt)：
基板上に、複数の走査線と、該走査線に交差する複数のデータ線と、該データ線と前記走査線とによってマトリクス状に形成された複数の画素からなる表示部とを有し、該画素の各々は、前記走査線を介して走査信号がゲート電極に供給される薄膜トランジスタを含む導通制御回路と、画素毎に形成された画素電極、該画素電極の上層側に積層された発光薄膜、および該発光薄膜の上層側において少なくとも前記表示部の全面に形成された対向電極を具備する薄膜発光素子とを備え、前記データ線から前記導通制御回路を介して供給される画像信号に基づいて前記薄膜発光素子が発光するアクティブマトリクス型表示装置において、前記対向電極の上層側には、少なくとも当該対向電極の形成領域を覆う保護膜が形成されていることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
IPC (3)：
H05B 33/04 ,  G09F 9/30 343 ,  H05B 33/26
FI (3)：
H05B 33/04 ,  G09F 9/30 343 E ,  H05B 33/26 Z
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
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