エピタキシャルダイヤモンド膜下地基板およびその製造方法並びにこのエピタキシャルダイヤモンド膜下地基板により製造されるエピタキシャルダイヤモンド膜およびその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：本田崇
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006097697
Publication number (International publication number)：2007270272
Application date： Mar. 31, 2006
Publication date： Oct. 18, 2007
Summary：

【課題】CVD法を使用してイリジウム下地上に直径1インチ(2.5cm)以上の大面積化された高品質のダイヤモンドをエピタキシャル成長させることができるエピタキシャルダイヤモンド膜下地基板およびその製造方法並びにこのエピタキシャルダイヤモンド膜下地基板により製造されるエピタキシャルダイヤモンド膜およびその製造方法を提供する。【解決手段】単結晶酸化マグネシウム(MgO)または単結晶サファイア(α-Al2O3)基板上に、真空蒸着法またはスパッタリング法によりイリジウム(Ir)膜をエピタキシャル成長により成膜し、この成膜されたイリジウム(Ir)下地の表面へ、イオンを含む直流プラズマを暴露することによりエピタキシャルダイヤモンド核を形成するバイアス核発生処理を施す。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

単結晶酸化マグネシウム(MgO)または単結晶サファイア(α-Al2O3)基板上に、真空蒸着法またはスパッタリング法によりイリジウム(Ir)膜をエピタキシャル成長により成膜し、この成膜されたイリジウム(Ir)下地の表面へ、イオンを含む直流プラズマを暴露することによりエピタキシャルダイヤモンド核を形成するバイアス核発生処理を施すことを特徴とするエピタキシャルダイヤモンド膜下地基板の製造方法。

IPC (5)：

C23C 16/02 , C30B 29/04 , C23C 16/27 , C23C 14/06 , H01L 21/205

FI (5)：

C23C16/02 , C30B29/04 C , C23C16/27 , C23C14/06 F , H01L21/205

F-Term (45)：

4G077AA03 , 4G077BA03 , 4G077DB17 , 4G077ED05 , 4G077ED06 , 4G077EE05 , 4G077EF02 , 4G077HA02 , 4G077HA06 , 4G077HA12 , 4G077TA04 , 4G077TB07 , 4G077TC13 , 4G077TC16 , 4G077TK01 , 4G077TK06 , 4G077TK08 , 4K029AA04 , 4K029BA02 , 4K029BA34 , 4K029BB02 , 4K029CA03 , 4K029CA05 , 4K029DD06 , 4K029EA03 , 4K029EA08 , 4K029FA01 , 4K030AA09 , 4K030AA17 , 4K030BA28 , 4K030CA05 , 4K030DA01 , 4K030FA01 , 4K030HA04 , 5F045AA08 , 5F045AB07 , 5F045AC07 , 5F045AD12 , 5F045AD13 , 5F045AD14 , 5F045AF09 , 5F045AF10 , 5F045DA53 , 5F045EH04 , 5F045EH09

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

ダイヤモンド単結晶の製造方法ならびにダイヤモンド単結晶基板およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-080701 Applicant：住友電気工業株式会社
積層基板、積層基板の製造方法及びデバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-071924 Applicant：信越化学工業株式会社, 澤邊厚仁

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

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