ダイヤモンド単結晶の製造方法ならびにダイヤモンド単結晶基板およびその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：深見久郎 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002080701
Publication number (International publication number)：2003277183
Application date： Mar. 22, 2002
Publication date： Oct. 02, 2003
Summary：

【要約】【課題】結晶成長中に割れや変形が発生せずに、大面積で高品質なダイヤモンド単結晶を提供する。【解決手段】ダイヤモンド単結晶の製造方法は、厚みが100μm以下の板状種結晶としてのダイヤモンド単結晶基板101を準備する工程と、ダイヤモンド単結晶基板101上にダイヤモンド単結晶102を気相合成法により形成する工程とを備える。ダイヤモンド単結晶基板101を準備する工程は、厚みが100μmを超えるダイヤモンド単結晶基板101を準備する工程と、ダイヤモンド単結晶基板101の一部分を除去して厚みを100μm以下にする工程とを備える。

Claim (excerpt)：

厚みが100μm以下の板状種結晶を準備する工程と、前記板状種結晶上にダイヤモンド単結晶を気相合成法により形成する工程とを備えた、ダイヤモンド単結晶の製造方法。

IPC (2)：

C30B 29/04 , H01L 21/205

FI (3)：

C30B 29/04 A , C30B 29/04 V , H01L 21/205

F-Term (16)：

4G077AA02 , 4G077AA03 , 4G077BA03 , 4G077DB01 , 4G077ED05 , 4G077FJ03 , 4G077HA06 , 4G077TK06 , 5F045AA09 , 5F045AB07 , 5F045AC08 , 5F045AF02 , 5F045BB13 , 5F045DA68 , 5F045DP04 , 5F045DQ10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

ダイヤモンドの合成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-018790 Applicant：住友電気工業株式会社
自立したダイヤモンドウェハーおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-271944 Applicant：住友電気工業株式会社
電子放出素子用ダイヤモンド部材、その製造方法及び電子デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-069368 Applicant：住友電気工業株式会社

Show all

Return to Previous Page