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J-GLOBAL ID：200903081032229161

薄膜トランジスタおよびその製造方法

Inventor：
加地 信幸

About 加地 信幸

, 
林 享

About 林 享

, 
薮田 久人

About 薮田 久人

, 
安部 勝美

About 安部 勝美


Applicant, Patent owner：
キヤノン株式会社

About キヤノン株式会社


Agent (2)： 山下 穣平 ,  永井 道雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007050004
Publication number (International publication number)：2008218495
Application date： Feb. 28, 2007
Publication date： Sep. 18, 2008
Summary：
【課題】酸化物半導体層の保護膜側界面のキャリア密度がゲート絶縁層側のキャリア密度より小さく、および酸化物半導体層の膜厚が最適化された薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。【解決手段】酸化物半導体層上に保護膜として酸化物絶縁体を形成する際に、酸化性ガスが含まれる雰囲気で成膜し、酸化物半導体の界面付近のキャリア密度を絶縁層側のキャリア密度より小さくする。また、酸化物半導体膜の設計膜厚を30nm±15nmにすることにより、電界効果移動度μ、On/Off比、S値を最適化する。【選択図】図4
Claim (excerpt)：
基板と、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、酸化物半導体層と、ソース電極と、ドレイン電極と、保護膜とを、少なくとも有する薄膜トランジスタであって、 該酸化物半導体層は、InとGaとZnのうち少なくとも一つの元素を含むアモルファス酸化物であり、該酸化物半導体層のゲート電極側のキャリア密度は保護膜側のキャリア密度より大きく、かつ該酸化物半導体層の膜厚は30nm±15nmであることを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (2)：
H01L 29/786 ,  G02F 1/136
FI (4)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618F ,  H01L29/78 619A ,  G02F1/1368
F-Term (57)：
2H092GA29 ,  2H092JA26 ,  2H092JA33 ,  2H092JA46 ,  2H092KA05 ,  2H092KA07 ,  2H092KA12 ,  2H092KA17 ,  2H092KA18 ,  2H092KB22 ,  2H092KB25 ,  2H092MA04 ,  2H092MA05 ,  2H092MA13 ,  2H092MA17 ,  2H092NA22 ,  2H092NA26 ,  5F110AA09 ,  5F110AA17 ,  5F110BB01 ,  5F110BB20 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE14 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110GG04 ,  5F110GG06 ,  5F110GG07 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG43 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK33 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN34 ,  5F110QQ14
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 半導体デバイス
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-264885   Applicant：科学技術振興事業団
Cited by examiner (3)

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