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J-GLOBAL ID：200903088007743793

ナノ粒子分散液、それを用いた半導体デバイスの製造方法及び半導体デバイス

Inventor：
平井 博幸

About 平井 博幸


Applicant, Patent owner：
富士フイルムホールディングス株式会社

About 富士フイルムホールディングス株式会社


Agent (4)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  西元 勝一 ,  福田 浩志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005222246
Publication number (International publication number)：2007042690
Application date： Jul. 29, 2005
Publication date： Feb. 15, 2007
Summary：
【課題】ナノ粒子分散液を用いた良好な電気的性能を有する半導体デバイスを効率よく製造する方法を提供する。【解決手段】下記式IまたはI'で表される化合物から選択される平均粒子サイズ50nm以下の金属酸化物ナノ粒子と分散媒とを含むナノ粒子分散液を用いて酸化物半導体薄膜22を形成する。 ZnXMYInZO(X+1.5Y+1.5Z)[I](式中、Mはアルミニウム、鉄及びガリウムの中の少なくとも一つの元素であり、比率X/Yが0.2〜10の範囲であり、比率Y/Zが0.1〜2.5の範囲である。) ZnX'InZ'O(X'+1.5Z') [I'](式中、比率X'/Z'は0.5〜8の範囲である。)【選択図】図1
Claim (excerpt)：
下記一般式IまたはI'で表される化合物から選択された平均粒子サイズ50nm以下の金属酸化物ナノ粒子と、分散媒とを含むナノ粒子分散液。 ZnXMYInZO(X+1.5Y+1.5Z) [I] (式中、Mはアルミニウム、鉄及びガリウムの中の少なくとも一つの元素であり、比率X/Yが0.2〜10の範囲であり、比率Y/Zが0.1〜2.5の範囲である。) ZnX'InZ'O(X'+1.5Z') [I'] (式中、比率X'/Z'は0.5〜8の範囲である。)
IPC (2)：
H01L 21/368 ,  H01L 29/786
FI (2)：
H01L21/368 Z ,  H01L29/78 618B
F-Term (33)：
5F053AA00 ,  5F053DD20 ,  5F053FF01 ,  5F053HH05 ,  5F053LL10 ,  5F053PP03 ,  5F053RR04 ,  5F110AA06 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110GG01 ,  5F110GG15 ,  5F110GG24 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (3)

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