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J-GLOBAL ID:200903081042552220

多層導電膜のエッチング方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998177747
Publication number (International publication number):2000008184
Application date: Jun. 24, 1998
Publication date: Jan. 11, 2000
Summary:
【要約】【課題】銀系薄膜3と酸化インジウムを主成分とする透明酸化物薄膜2とで構成される多層導電膜5の全体を均等にエッチングでき、残渣とサイドエツチが抑制され、そのパターン精度を向上させる多層導電膜のエッチング方法を提供する。【解決手段】銀系薄膜3と、酸化インジウムを主成分とする透明酸化物薄膜2、4とを積層して構成される多層導電膜5を、硫酸と硝酸を主成分とするエッチャントによりエッチングする際に、エッチャントに硝酸の揮発を抑える為のバッファーが含有しているエッチャントを用いてエッチングすること。
Claim (excerpt):
銀系薄膜と、酸化インジウムを主成分とする透明酸化物薄膜とを積層して構成される多層導電膜を、硫酸と硝酸を主成分とするエッチャントによりエッチングするエッチング方法において、上記エッチャントに硝酸の揮発を抑える為のバッファーが含有しているエッチャントを用いてエッチングする事を特徴とする多層導電膜のエッチング方法。
IPC (2):
C23F 1/16 ,  H01L 21/306
FI (2):
C23F 1/16 ,  H01L 21/306 F
F-Term (12):
4K057WA11 ,  4K057WB01 ,  4K057WB15 ,  4K057WC08 ,  4K057WE02 ,  4K057WE03 ,  4K057WF01 ,  4K057WN02 ,  5F043AA20 ,  5F043AA26 ,  5F043BB18 ,  5F043BB30
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)

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