キャパシタを有する半導体装置およびその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：深見久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998191018
Publication number (International publication number)：1999168200
Application date： May. 19, 1998
Publication date： Jun. 22, 1999
Summary：

【要約】【課題】リーク電流を抑制でき、かつ電極の剥がれを防止できるキャパシタを有する半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】キャパシタ10の下部電極層1を、450°C未満の温度で酸素を含む雰囲気中にてスパッタリングで形成することにより、酸素が導入された下部電極層1を得る。

Claim (excerpt)：

第1および第2の電極層が高誘電率材料を含むキャパシタ絶縁層を挟んでなるキャパシタを有する半導体装置であって、前記第1および第2の電極層の少なくともいずれかは、第1の金属層と、前記キャパシタ絶縁層と前記第1の金属層との間に位置して前記キャパシタ絶縁層に接し、かつ酸素を含む第2の金属層とを有する、キャパシタを有する半導体装置。

IPC (4)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (3)：

H01L 27/10 621 B , H01L 27/04 C , H01L 27/10 651

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

誘電体素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-149521 Applicant：セイコーエプソン株式会社
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-006061 Applicant：三菱電機株式会社
半導体メモリ素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-324574 Applicant：シャープ株式会社

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