フィン形キャパシター及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：八田幹雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995257972
Publication number (International publication number)：1996167702
Application date： Oct. 04, 1995
Publication date： Jun. 25, 1996
Summary：

【要約】【課題】キャパシタンスを増加させ得るフィン形キャパシター及びその製造方法を提供する。【解決手段】導電性酸化物より構成された第1物質層112a,112b,112c及び導電体よりなる第2物質層114a,114bが交互に積層され、前記第2物質114a,114bの側面が内側にぼこっと凹んでフィン形の構造を形成した第1電極と、第2電極(不図示)及び前記第1電極と第2電極との間に形成された誘電物質118を含めて構成されてたフィン形キャパシター。

Claim (excerpt)：

導電性酸化物よりなる第1物質層及び導電体よりなる第2物質層が交互に積層され、前記第2物質層が蝕刻されてその幅が第1物質層の幅より短くなってフィン形構造を形成する第1電極と、第2電極と、前記第1電極と第2電極との間に形成された誘電物質とを含めてなることを特徴とするキャパシター。

IPC (4)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (3)：

H01L 27/10 621 A , H01L 27/04 C , H01L 27/10 651

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

タングステンコンタクトコア・スタックキャパシタおよびその成形方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-314390 Applicant：マイクロン・テクノロジー・インコーポレイテッド
半導体記憶装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-008617 Applicant：三菱電機株式会社
DRAMの電荷蓄積用キヤパシタ電極の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-317215 Applicant：沖電気工業株式会社

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Cited by examiner (7)

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