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J-GLOBAL ID：200903081297546290

窒化ガリウム系化合物半導体装置

Inventor：
酒井 士郎

About 酒井 士郎


Applicant, Patent owner：
酒井 士郎

About 酒井 士郎

, 
ナイトライド・セミコンダクター株式会社

About ナイトライド・セミコンダクター株式会社


Agent (1)： 吉田 研二 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000358412
Publication number (International publication number)：2002164570
Application date： Nov. 24, 2000
Publication date： Jun. 07, 2002
Summary：
【要約】【課題】 窒化ガリウム系発光素子において、光の取り出し効率を向上させる。【解決手段】 窒化ガリウム系発光素子は、サファイア基板10上にn型GaNバッファ層12、n型GaN層14、InGaN発光層16、p型GaN層18、n型電極20、p型電極22を順次形成することで構成される。p型GaN層上でp型電極22に隣接してZnO透明電極21を形成する。ZnO透明電極21により電流を発光層に均一に供給するとともに、発光層からの光を透過して外部に取り出す。
Claim (excerpt)：
窒化ガリウム系化合物半導体装置であって、電極としてZnO透明電極を有することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体装置。
IPC (3)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 29/43
FI (4)：
H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 E ,  H01L 21/28 301 H ,  H01L 29/46 H
F-Term (15)：
4M104AA04 ,  4M104BB02 ,  4M104BB06 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD37 ,  4M104FF01 ,  4M104GG04 ,  4M104HH20 ,  5F041AA03 ,  5F041CA12 ,  5F041CA40 ,  5F041CA82 ,  5F041CA88 ,  5F041CA93
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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