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J-GLOBAL ID：200903003220729995

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法

Inventor：
幡 俊雄

About 幡 俊雄


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997128452
Publication number (International publication number)：1998321913
Application date： May. 19, 1997
Publication date： Dec. 04, 1998
Summary：
【要約】【課題】 透光性電極を通して、光を取り出す構造の発光素子において、発光効率が高く、発光領域全体で均一に発光する素子を提供する。【解決手段】 第1導電型窒化ガリウム系化合物半導体層、第2導電体型窒化ガリウム系化合物半導体層が積層されている窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、第2導電型層表面に透光性電極が形成され、該透光性電極の上に透明導電体膜が形成されている窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を提供することによって上記問題を解決する。
Claim (excerpt)：
第1導電型窒化ガリウム系化合物半導体層、第2導電体型窒化ガリウム系化合物半導体層が積層されている窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、第2導電型層表面に透光性電極が形成され、該透光性電極の上に透明導電体膜が形成されていることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
IPC (2)：
H01L 33/00 ,  H01S 3/18
FI (3)：
H01L 33/00 E ,  H01L 33/00 C ,  H01S 3/18
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
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