半導体装置およびその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：船橋國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000224884
Publication number (International publication number)：2002043315
Application date： Jul. 26, 2000
Publication date： Feb. 08, 2002
Summary：

【要約】【課題】銅配線表面に、耐酸化性、耐フッ酸性に優れた被膜を形成して、銅配線の耐酸化性、耐フッ酸性の向上を図るとともに、ビア接続抵抗を低減して、信頼性の高い銅配線構造を形成する。【解決手段】コバルトを含む層(CoWP層)15と、CoWP層15を被覆するもので耐酸化性および耐フッ酸性を有する被覆層(CoSi2 層)16とを備えたものであり、CoWP層15は銅配線14表面に形成されているものである。

Claim (excerpt)：

コバルトを含む層と、前記コバルトを含む層を被覆するもので耐酸化性および耐フッ酸性を有する被覆層とを備えたことを特徴とする半導体装置。

FI (3)：

H01L 21/88 R , H01L 21/88 M , H01L 21/88 Q

F-Term (24)：

5F033HH12 , 5F033HH15 , 5F033HH25 , 5F033HH32 , 5F033HH34 , 5F033MM01 , 5F033MM05 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033QQ09 , 5F033QQ48 , 5F033QQ70 , 5F033QQ73 , 5F033QQ79 , 5F033RR04 , 5F033XX05 , 5F033XX18 , 5F033XX20 , 5F033XX24 , 5F033XX28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開平2-125431
特開昭56-015070
特開平2-106971

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