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J-GLOBAL ID:200903081520866278
チタン化合物膜が被覆された物品、その物品の製造方法及びその膜を被覆するために用いるスパッタリングターゲット
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
大野 精市
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002121539
Publication number (International publication number):2003313660
Application date: Apr. 24, 2002
Publication date: Nov. 06, 2003
Summary:
【要約】【課題】 板状ガラスなどの基体表面に、反応性スパッタリング法でチタン化合物膜を成膜する際の、小さな成膜レートや、アーキングが発生するために高出力を投入できないという難点を解決する。【解決手段】 従来の金属チタンターゲットに替えて、炭素化チタンターゲットを使用し、スパッタリング法によって基体上にチタン化合物膜を形成する製造方法及びチタン化合物膜が被覆された物品及びその膜を被覆するために用いるスパッタリングターゲットの提供。炭素化チタンターゲット中の炭素量は1〜60原子%が好ましく、ニオブ、タンタル、鉄、亜鉛、モリブデン等の金属を添加しても良い。
Claim (excerpt):
反応性スパッタリング法による基体上へのチタン化合物膜の成膜において、炭素化チタンターゲットを用いることを特徴とするチタン化合物膜被覆物品の製造方法。
IPC (6):
C23C 14/34
, B01J 35/02
, C03C 17/22
, C03C 17/245
, C23C 14/08
, C23C 14/22
FI (6):
C23C 14/34 A
, B01J 35/02 J
, C03C 17/22 Z
, C03C 17/245 A
, C23C 14/08 E
, C23C 14/22 B
F-Term (31):
4G059AA01
, 4G059AC30
, 4G059EA01
, 4G059EA04
, 4G059EA11
, 4G059EA12
, 4G059GA01
, 4G059GA04
, 4G059GA12
, 4G069AA03
, 4G069AA08
, 4G069BA04B
, 4G069BA48A
, 4G069BC35B
, 4G069BC55B
, 4G069BC56B
, 4G069BC66B
, 4G069EA08
, 4G069FB02
, 4K029AA09
, 4K029BA02
, 4K029BA16
, 4K029BA34
, 4K029BA48
, 4K029BA60
, 4K029BC00
, 4K029BC07
, 4K029CA06
, 4K029CA08
, 4K029DC03
, 4K029DC05
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
-
特開平4-042528
-
チップ配線アプリケーションのための段階的な組成の拡散障壁
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-236873
Applicant:インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレ-ション
-
光触媒膜付き基板およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-104787
Applicant:日本板硝子株式会社
-
光触媒活性を有する物品
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-222548
Applicant:日本板硝子株式会社
-
集積回路
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-308599
Applicant:三菱電機株式会社
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