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J-GLOBAL ID：200903045798659838

チップ配線アプリケーションのための段階的な組成の拡散障壁

Inventor： シプリアン・イー・ウゾー ,  ダニエル・シィ・エデルステイン ,  アンドリュー・エイチ・シモン
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレ-ション
Agent (1)： 坂口 博 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000236873
Publication number (International publication number)：2001102382
Application date： Aug. 04, 2000
Publication date： Apr. 13, 2001
Summary：

【要約】【課題】 半導体素子構造のための障壁膜を提供すること。【解決手段】 障壁膜が、窒素とチタンまたはタンタルの少なくとも1つを含む化合物と、障壁膜内で可変の濃度を有する窒素と、障壁膜内で可変の濃度を有する酸素とを含む。

Claim (excerpt)：

半導体素子構造のための障壁膜であって、窒素とチタンまたはタンタルの少なくとも1つを含む化合物と、障壁膜内で可変の濃度を有する窒素と、障壁膜内で可変の濃度を有する酸素とを含む、障壁膜。

IPC (5)：

H01L 21/3205 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/34 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/285

FI (7)：

C23C 14/06 A ,  C23C 14/34 N ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/285 S ,  H01L 21/88 R ,  H01L 21/88 N ,  H01L 21/88 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

• 特開平2-133923
  
• 配線構造およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-127977   Applicant：アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-204486   Applicant：株式会社日立製作所
• 集積回路
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-308599   Applicant：三菱電機株式会社
• 半導体装置におけるバリアメタル層の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-232365   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-227582   Applicant：ソニー株式会社
• 特開平2-067763
  
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-009826   Applicant：広島日本電気株式会社
• 特開平4-214653
  
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-238020   Applicant：株式会社東芝